(1) Phương pháp magiê silicide: phản ứng bột hỗn hợp silicon và magiê trong hydro ở khoảng 500 ° C, và phản ứng với magiê silicide được tạo ra với amoni clorua trong amoniac lỏng ở nhiệt độ thấp để thu được silan. Tinh chế nó trong thiết bị chưng cất được làm mát bằng nitơ lỏng sẽ thu được silan tinh khiết.
(2) Phương pháp phản ứng không đồng nhất: phản ứng với bột silicon, silicon tetrachloride và hydro trong lò tầng sôi được làm nóng trên 500 ° C để thu được trichlorosilane. Trichlorosilane được tách ra bằng cách chưng cất. Dichlorosilane thu được bằng phản ứng không đồng nhất với sự có mặt của chất xúc tác. Dichlorosilane thu được là hỗn hợp với silicon tetrachloride và trichlorosilane, do đó có thể thu được dichlorosilane tinh khiết sau khi chưng cất. Trichlorosilane và monosilane thu được từ dichlorosilane bằng cách sử dụng chất xúc tác phản ứng không đồng nhất. Monosilane thu được được tinh chế bằng thiết bị chưng cất áp suất cao ở nhiệt độ thấp.
(3) Xử lý hợp kim silicon-magiê bằng axit clohydric.
Mg2Si+4HCl—→2MgCl2+SiH4
(4) Hợp kim silic-magiê phản ứng với amoni bromua trong amoniac lỏng.
(5) Sử dụng lithium nhôm hydrua, lithium borohydride, v.v. làm chất khử, khử tetrachlorosilane hoặc trichlorosilane trong ether.