Фосфин является важным источником легирования n-типа при производстве полупроводниковых приборов. Он также используется при химическом осаждении поликремния из паровой фазы, эпитаксиальных материалах GaP, процессе ионной имплантации, процессе MOCVD и приготовлении пассивационной пленки из фосфоросиликатного стекла (PSG).