La phosphine est une source importante de dopage de type n dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Il est également utilisé dans le dépôt chimique en phase vapeur de polysilicium, les matériaux GaP épitaxiaux, le processus d'implantation ionique, le processus MOCVD et la préparation de films de passivation en verre phosphosilicate (PSG).