Phosphin ist eine wichtige Dotierungsquelle vom n-Typ bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Es wird auch bei der chemischen Gasphasenabscheidung von Polysilizium, epitaktischen GaP-Materialien, Ionenimplantationsprozessen, MOCVD-Prozessen und der Herstellung von Passivierungsfilmen aus Phosphosilikatglas (PSG) verwendet.